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三星电子236层NAND闪存预计年内开始生产

作者:陈玲丽编译时间:2022-08-18来源:电子产品世界

据国外媒体报道,当前全球最大的存储芯片制造商电子,预计会在年内开始生产236层

本文引用地址:http://846420.com/article/202208/437445.htm

此外,它还计划在本月开设一个新的研发中心,负责更先进产品的开发。

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韩国媒体在报道中还表示,目前量产的,最高是176层,在236层的产品量产之后,电子NAND闪存的层数就将创下新高。

从韩国媒体的报道来看,三星电子对即将量产的236层NAND闪存寄予了厚望。他们在报道中就表示,在NAND闪存市场,三星电子的市场份额占了35%,为全球最高。将层数增加60层后,他们计划凭借生产技术、价格及性能上的竞争优势,增加市场份额。

在全球NAND闪存市场上,主要厂商之间的竞争也较为激烈,都在研发性能更强的产品 —— SK海力士8月2日就在官网宣布,他们已经研发出了238层512Gb TLC 4D NAND,预计在明年上半年开始量产。美光科技此前也已宣布,他们完成了232层NAND闪存的研发。

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